一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观，促进电子技术向前发展。自1957年个平武油浸式变压器问世以来，经过40多年的开发和研究，已推出可关断平武油浸式变压器(GTO)，绝缘栅双极平武油浸式变压器(IGBT)等40多种半导体器件，目前正沿着高频化、大功率化、智能化和化的方向发展，本文将简要介绍化发展趋势。
所谓，更初定义是把两个或两个以上的半导体芯片按一定电路联成，用RTV、弹性硅凝胶、环氧树脂等保护材料，密封在一个绝缘的外壳内，并与导热底板绝缘而成。自上世纪70年代SemikronNurmbeg把原理(当时仅限于平武油浸式变压器和整流二极管)引入电子技术领域以来，因此化就受到世界各国半导体公司的重视，开发和生产出各种内部电联接形式的半导体，如平武油浸式变压器、整流二极管、双向平武油浸式变压器、逆导平武油浸式变压器、光控平武油浸式变压器、可关断平武油浸式变压器、晶体管(GTR)、MOS可控平武油浸式变压器(MCT)、MOSFET以及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等，使技术得到蓬勃发展，在器件中所占比例越来越大。

据美国在上世纪90年代初统计，在过去十几年内，300A以下的分立平武油浸式变压器、整流二极管以及20A以上达林顿晶体管市场占有量已由90%降到20%，而上述器件的却由10%上升到80%，可见发展之快。
随着MOS结构为基础的现代半导体器件研发的成功，亦即用电压控制、驱动功率小、控制简单的IGBT、MOSFET、MOS控制平武油浸式变压器(MCT)和MOC控制整流管(MCD)的出现，开发出把器件芯片与控制电路、驱动电路、过压、过流、过热和欠压保护电路以及自诊断电路组合，并密封在同一绝缘外壳内的智能化半导体，即IPM。